第二百二十四章 無法繞開的難題（1 / 2）
三年後推出的nxe:3400c，更是將產能提高到每小時處理晶圓175片。
目前，阿斯慢在售的euv光刻機包括nxe:3300b和nxe:3400c兩種機型。
歷史上，阿斯慢公司要到明年，也就是二零一六年，第一批麵向製造的euv係統nxe:3400b，才會開始批量發售，
nxe:3400b的光學與機電係統的技術有所突破，極紫外光源的波長縮短至13n每小時處理晶圓125片，或每天可1500片。
euv成功來源於阿斯慢光刻機上遊產業鏈的貫通。
euv波長隻有135n穿透物體時散射吸收強度較大，這使得光刻機的光源功率要求極高，此外機器內部需是真空環境，避免空氣對euv的吸收，透鏡和反射鏡係統也極致精密，配套的抗蝕劑和防護膜的良品率也需要更先進技術去提升。
一台euv光刻機重達180噸，超過10萬個零件，需要40個集裝箱運輸，安裝調試都要超過一年時間。總之，euv光刻機幾乎逼近物理學、材料學以及精密製造的極限。
二零一零年，阿斯慢首次發售概念性的euv光刻係統nxw:3100，從而開啟光刻係統的新時代。
二零一三年，阿斯慢發售第二代euv係統nxe:3300b，但是精度與效率不具備10納米以下製程的生產效益。
所以euv不僅是頂級科學的研究，也是頂級精密製造的學問。
二零一零年首發euv光刻機，目前成為全球唯一一家euv光刻機供應商。
euv光刻機——頂級科學與頂級製造的結合。
今年又推出了第三代euv係統nxe:3350，但仍然隻是試產的性質。
而且此時的華夏企業，對於阿斯慢的euv光刻機，似乎並沒有很迫切的需求，畢竟阿斯慢公司的浸潤式duv光刻機，並沒有停止出口華夏市場，而且星光科技集團也能生產duv浸潤式的光刻機，完全可以滿足國內的需求。
至於10納米以下的製程工藝，華夏國內的市場需求銀少，所以更高端的極深紫外線euv光刻機，華夏國內的市場需求並不迫切。
在euv光刻機超過10萬個零件之中，來自矽穀光科集團的微激光係統、德國蔡司的鏡頭和cyr的euv光源是最重要的三環。
一九九七年英特爾牽頭創辦了euvllc聯盟，隨後阿斯慢作為惟一的光刻設備生產商加入聯盟，共享研究成果；二零零零年，阿斯慢收購了花旗國光刻機巨頭svgl(矽穀光刻集團)；二零一二年，阿斯慢收購euv光源提供商cyr，此前cyr就和阿斯慢已經合作已久。
二零一六年，阿斯慢公司取得光學鏡片龍頭，德國蔡司百分之二十四點九的股份，以加快推進更大數值孔徑（na）的euv光學係統。
另外，還需要保證百分之五十五的零部件，均從美國供應商處采購，並接受定期審查，這也為日後阿斯慢，向華夏國出口光刻機受到花旗國管製埋下了伏筆。
euv設備在下遊市場供不應求。由於上遊零部件供應不足（如蔡司的鏡頭），阿斯慢的euv光刻機產量一直不高，而下遊市場對7n程的需求卻十分旺盛。2011年英特爾、三星和台急電共同收購阿斯慢23%的股權，幫助阿斯慢提升研發預算，同時也享受euv光刻機的優先供應權。
近年來，阿斯慢已經出貨的euv光刻機主要優先供應給台積電、三星、英特爾等有緊密合作關係的下遊廠商。目前所有中國企業中，還沒有任何一家企業，能夠從阿斯慢訂購到euv光刻機。
可是全球智能化科技，是在飛速發展的，隨著科技的發展，人民對於芯片的要求會越來越高，幾年之後，全球會向5g，甚至6g技術發展，那個時候要用到的智能芯片，必須要用5納米以下的製程技術，甚至是1納米的製程技術。